美国银行预计，受存储供给短缺与消费旺季叠加影响，9月DRAM、NAND现货价格仍有10%至20%上涨空间。三星、SK海力士、美光产能优先保障AI客户杠杆配资，渠道供给满足率不足50%。英伟达强劲增长指引进一步强化存储需求预期，行业景气度有望持续。
存储芯片现货市场供需失衡持续加剧，叠加传统消费旺季临近，美国银行预计9月现货价格仍有10%至20%的上涨空间。
追风交易台消息，据美银全球研究8月27日发布的报告，渠道调查显示，9月现货市场供给满足率（sufficiency ratio）不足50%，模组厂商和白牌OEM普遍反映无法从主要存储芯片厂商处获得足量的通用DRAM及NAND产品，原因在于三星电子、SK海力士、美光等大厂将产能优先分配给大型科技客户。
元股证券:ygzq.hk报告指出，尽管当前现货价格已令多数IT产品处于负毛利区间，但供给短缺与旺季效应的共振仍将推动价格进一步走高。
上述判断的背景是，英伟达最新发布的2027财年约70%的营收增长指引远超市场预期，美银认为这对此前转向悲观的存储板块投资者构成正面提振。报告同时指出，英伟达的增长预测本身已将存储短缺纳入假设前提，若需求进一步超预期，存储行业的增长弹性可能更大。
现货价格：多品类创历史新高，供给缺口是核心驱动
根据DRAMeXchange数据，截至报告发布日，16Gb DDR5现货价格报54美元，年初至今涨幅达85%，创历史新高；16Gb DDR4现货价格报91美元，较去年同期上涨879%；8Gb DDR4报44美元，同比上涨803%。
NAND方面，1Tb晶圆现货价格报31.9美元，同比上涨526%；256Gb晶圆报16.8美元，周环比上涨6%，同比涨幅高达979%。
美银渠道调查显示，9月现货市场供给满足率低于50%，这一数字与三星电子在虚拟路演中披露的信息相互印证——即便到明年，高端GPU及CPU的DRAM供给满足率仍仅在50%至60%左右。报告强调，当前现货价格虽已令多数IT产品毛利转负，但短缺格局与旺季需求叠加，仍支撑9月现货价格存在10%至20%的上行空间。
英伟达2027指引：存储增长空间或超80%
美银报告将英伟达 2027财年约70%的营收增长指引视为存储行业的重要催化剂，并据此上调了对全球DRAM销售额的增长预期。
报告指出，若仅假设2027年各季度均价环比上涨10%，叠加约19%的出货量增长，2027年全球DRAM销售额增幅可能超过80%，远高于此前预测的48%（均价+24%，出货量+19%）。
美银列举了三大驱动因素：
其一，英伟达自身约70%的增长预测已基于存储短缺假设，若芯片订单需求更强、Rubin/Vera平台采用更广泛，上行空间将进一步打开；
其二，ASIC/TPU阵营正更积极地争夺HBM、DRAM及NAND资源，且愿意支付高于英伟达的价格；
其三，若英伟达与超大规模云厂商消化三大存储厂商新增产能，苹果、中国OEM及中国台湾模组厂商可能在长期协议框架下提出更高的2027年存储报价，届时均价存在单季度环比上涨10%以上的可能。
产业链路演：供给扩张受限，长协比例提升
美银本周举办了覆盖10余家存储及韩国科技公司的虚拟路演，整体基调偏乐观。
三星电子方面表示，即便在长期协议（LTA）框架下，DRAM均价仍可按季度协商，目前约60%至70%的晶圆产能纳入LTA管理；新建晶圆厂（P4）产能主要用于HBM，高端GPU/CPU不存在降规格（de-spec）情况，明年供给满足率仍仅约50%至60%。
SK海力士则表示，尽管新建龙仁厂区已在推进，但受HBM产能占用影响，晶圆产能扩张整体受限，对传统DRAM及NAND扩产不感兴趣；即便LTA比例提升，近期均价上行空间依然较大。
场内配资平台Nanya Tech指出，传统DDR4需求非常强劲，新建晶圆厂设备安装预计于2027年一季度启动，初始目标产能为每月3万片，计划于2028年达产。Silicon Motion表示，企业级解决方案年化营收已从一年前的约10亿美元翻倍至近20亿美元；FADU则预计2026年下半年至2027年eSSD控制器销售额将实现100%以上增长。
韩国半导体出口：8月前20天创历史新高
韩国产业通商资源部数据显示，8月前20天半导体出口额达260亿美元，环比增长18%，创历史新高；同比增速加速至199%，已连续七个月实现正增长。
英伟达方面，其7月季度营收报960亿美元，同比增长106%，环比增长18%；数据中心营收达890亿美元，同比增长117%，占总营收比例高达93%。
美银美国分析师预计，随着存储成本上升，英伟达毛利率将出现温和压缩，但数据中心毛利率有望维持在70%以上。
存储股估值：经历7月至8月回调后仍大幅跑赢
尽管DRAM及NAND相关股票在7月至8月出现回调，但年初至今涨幅仍十分显著。
美银数据显示，三星电子、SK海力士、美光及Nanya Tech股价较2026年初均上涨2至3倍；SanDisk及Kioxia年初至今回报率更超过400%。
从估值角度看，多数DRAM股票目前市盈率仍处于4至8倍区间，美银认为估值并不昂贵。
报告指出，SK海力士和三星电子股价在英伟达财报发布后的8月27日已出现明显反弹。合同价格方面，16Gb DDR5及DDR4合同价格均在35至40美元区间，8月环比涨幅收窄至低个位数，低于7月的10%至15%；NAND 512Gb晶圆合同价格目前约为26美元，较2025年2月低点上涨约10倍。
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